Представление документа в формате RUSMARC

ПолеНазваниеЗначение
  Тип записи a
  Библиографический уровень m
001 Контрольный номер RU/IS/BASE/358517617
005 Дата корректировки 20201206220014.2
010 Индекс ISBN __
a ISBN 978-5-94774-909-0
d Цена 372-00
101 Язык документа __
a Язык текста rus
200 Заглавие и сведения об ответственности 1_
a Заглавие Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники
e Сведения, относящиеся к заглавию учеб. пособие для студентов высш. учеб. заведений, обучающихся по направлению подгот. 210100 "Электроника и микроэлектроника"
f Первые сведения об ответственности А. А. Раскин, В. К. Прокофьева
b Общее обозначение материала Текст
h Номер части Ч. 1
210 Выходные данные __
a Место издания М.
c Издательство БИНОМ. Лаб. знаний
d Дата издания 2010
215 Физическое описание __
a Объем 163, [2] с.
320 Библиография __
a Библиография Библиогр.: с. 164
327 Примечание о содержании __
a Примечание о содержании Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники
330 Аннотация __
a Аннотация Рассмотрены основные технологические процессы, используемые для получения материалов микро-, опто- и наноэлектроники (методы разделения гетерогенных систем, фильтрование, абсорбция, адсорбция, перегонка жидкостей, ионный обмен, кристаллизация). Представлена технология элементарных полупроводников (выращивание монокристаллов) и полупроводниковых соединений (получение монокристаллов с заданными свойствами).
461 Уровень набора __
1 700 1
a Раскин
b А. А.
4 070
1 702 1
a Прокофьева
b В. К.
4 Автор
1 200
a Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники
1 210
a М.
c БИНОМ. Лаб. знаний
d 2010
1 225
1 010
606 Тематические рубрики __
a Основная рубрика Электроника в целом
606 Тематические рубрики __
a Основная рубрика Радиоэлектроника
610 Ключевые слова __
a Ключевые слова полупроводники; монокристаллы; технологические процессы; наноматериалы; кристаллизация; адсорбция; абсорбция; фильтрование; высушивание; перегонка жидкостей; ионный обмен; элементарные полупроводники; полупроводниковые соединения; выращивание монокристаллов; эпитаксиальные структуры; микроэлектроника; оптоэлектроника; наноэлектроника
686 Индексы других классификаций __
a Классификационный индекс 32.85я73; ст32.85я73
702 Вторичная интеллектуальная ответственность _1
a Фамилия Прокофьева
b Имя В. К.
4 Код отношения Автор
801 Источник записи _0
a Страна RU
b Организация Муниципальное бюджетное учреждение культуры "Централизованная библиотечная система" г. Сургут (Центральная городская библиотека им. А. С. Пушкина)
g Правила каталогизации КиК/Котельникова
801 Источник записи _1
a Страна RU
b Организация Муниципальное бюджетное учреждение культуры "Централизованная библиотечная система" г. Сургут (Центральная городская библиотека им. А. С. Пушкина)
g Правила каталогизации КиК/Котельникова
852 Данные о местонахождении __
j Шифр хранения 32.85я73
i Авторский знак Т 38
901 Тип документа __
t Тип документа n
w Контрольный № источника RU/IS/BASE/358516117
903 Характеристики (МАРС) __
a Дата передачи 20110512
969 Тип издания __
a Тип издания учебное пособие
990 Данные о заказе (DOS) __
j Количество экземпляров (DOS) 2
t N записи в КСУ для И/У (DOS) 201106